1. |
ઓરડાના તાપમાને અંતર્ગત અર્ધવાહકમાં રહેલા મુક્ત ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા-ઘનતા અનુક્રમે ne
અને nh છે, તો _____ .
|
||||||||
Answer:
Option (c) |
2. |
નિરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને Si અર્ધવાહક સ્ફટિક માટેના એનર્જી-બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં _____
|
||||||||
Answer:
Option (b) |
3. |
Ge અર્ધવાહકની વાહકતા ક્યારે ઘટે ?
|
||||||||
Answer:
Option (d) |
4. |
પ્રકાશને પારખવા (Detect) કરવા માટે _____ .
|
||||||||
Answer:
Option (b) |
5. |
_____ અર્ધવાહક રચનાને કાર્યરત કરવા ફોરવર્ડ બાયસ આપવું પડે છે.
|
||||||||
Answer:
Option (d) |
6. |
કઈ અર્ધવાહક રચનાને કોઈ પણ પ્રકારના બાયસ વોલ્ટેજની જરૂર પડતી નથી?
|
||||||||
Answer:
Option (c) |
7. |
PN જંકશનને સમાંતર 0.50 Vનું પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. જો ડેપ્લેશન સ્તરની પહોળાઈ 5.0 × 10-7 m હોય તો, આ વિસ્તારમા વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા _____ .
|
||||||||
Answer:
Option (b) |
8. |
CE ટ્રાન્ઝીસ્ટર એમ્પલીફાયરમાં એમીટર જંકશન _____ બાયસ અને કલેકટર જંકશન _____ બાયસ સ્થિતિમાં હોય છે.
|
||||||||
Answer:
Option (d) |
9. |
વાહક, અર્ધવાહક અને અવાહક પદાર્થોની બેન્ડગેપ અનુક્રમે Eg1,Eg2 અને Eg3 છે. આ ત્રણેય બેન્ડગેપ વચ્ચેનો સંબંધ_____ .
|
||||||||
Answer:
Option (c) |
10. |
અર્ધતરંગ રેકટીફયારમાં ઉપયોગમાં લીધેલ ટ્રાન્સફોર્મરના ગૌણ ગૂંચળાના બે છેડા વચ્ચેનો મહતમ વોલ્ટેજ Vm છે. જયારે P-N જંકસન ડાયોડ રીવેર્સ બાયસ સ્થિતિમાં હશે, ત્યારે તેના બે છેડા વચ્ચે વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત _____
|
||||||||
Answer:
Option (c) |